[发明专利]相变化记忆体的制造方法与相变化记忆体有效
| 申请号： | 202010477856.3 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111599916B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 林仲汉;朱煜;罗国峰 | 申请（专利权）人： | 北京时代全芯存储技术股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 北京市海淀区丰豪东*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种相变化记忆体的制造方法与相变化记忆体，方法包括：形成堆叠结构，其包括：导电层；下电极层，位于导电层上方；上电极层，位于下电极层上方；相变化材料，位于下电极层与上电极层之间；以及选择器材料，位于导电层与下电极层之间；根据第一遮罩蚀刻上电极层，以形成上电极线；根据上电极线蚀刻相变化材料，以形成相变化材料层于上电极线的下方，并暴露出下电极层的一部分，其中相变化材料层具有暴露的侧表面；在蚀刻相变化材料之后，对相变化材料层的侧表面进行氮化处理，以形成氮化的相变化材料层覆盖相变化材料层的侧表面；以及根据相变化材料层及氮化的相变化材料层蚀刻下电极层、选择器材料及导电层，以形成下电极线、选择器材料层及其下方的导线。此方法透过在相变化材料层的暴露表面上形成可保护相变化材料层的氮化的相变化材料层，以避免相变化材料层在后续蚀刻制程中严重受损。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 记忆体 制造 方法 | ||
【主权项】：
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