[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202010477865.2 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN112447598A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/06 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李琛;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本文公开短通道、水平栅极全环(GAA)纳米结构(如：纳米片、纳米线等)晶体管、半导体装置的制造方法及以GAA晶体管形成的装置。根据一些方法，形成的GAA晶体管具有防止APT掺杂扩散到通道区域中的保护带、浅层源极/漏极深度、及/或基板中的井及APT布植后的装置通道区域外延生长。借此，形成的GAA晶体管用于减轻可能在制造栅极全环(GAA)晶体管期间由抗接面击穿(APT)掺杂扩散引起的议题，如底部片临界电压(Vt)偏移、接面漏电、APT掺杂物向外扩散、井邻近效应、及APT布植污染。不过，GAA晶体管及制造方法可被以各种更广泛的方式运用，且可被整合到各式各样的装置及技术中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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