[发明专利]具有应力集中结构的压阻式压力传感器芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202010478838.7 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111504526B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 赵立波;皇咪咪;徐廷中;陈翠兰;李学琛;杨萍;卢德江;王鸿雁;吴永顺;魏于昆;山涛;蒋庄德 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学;陕西省计量科学研究院 |
| 主分类号： | G01L1/20 | 分类号： | G01L1/20;G01L9/02;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陈翠兰 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了具有应力集中结构的压阻式压力传感器芯片及其制备方法，传感器芯片由浅槽薄膜结构层和背腔结构层组成。浅槽薄膜结构分为浅槽结构和薄膜结构，浅槽结构由沿薄膜边缘分布的四条浅槽和位于薄膜内部分布的正方形浅槽组成，应力集中在两条浅槽结构端部之间，分布的正方形浅槽则进一步集中和调节了应力分布，提高了传感器的灵敏度。在应力集中处均匀布置四个压敏电阻条，金属引线将四个压阻条连接组成半开环惠斯通全桥，并将电桥与布置在基底上的五个焊盘连接实现电信号的输入输出。背腔由半岛和岛屿组成，两者之间的空隙与两条浅槽结构端部相对应；半岛和岛屿提高应力的集中效果，并提高了传感器的刚度，使传感器的线性度得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 应力 集中 结构 压阻式 压力传感器 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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