[发明专利]一种隔离槽阵列结构的压力传感器芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202010479167.6 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111498795B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 赵立波;皇咪咪;陈翠兰;徐廷中;李学琛;杨萍;卢德江;王鸿雁;吴永顺;魏于昆;山涛;蒋庄德 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学;陕西省计量科学研究院 |
| 主分类号： | B81B7/04 | 分类号： | B81B7/04;G01L9/02 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陈翠兰 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种隔离槽阵列结构的压力传感器芯片及其制备方法，属于MEMS压阻式压力传感器领域，传感器芯片由浮雕薄膜结构层和背腔结构层组成，浮雕薄膜结构层分为浮雕层和薄膜层，浮雕层由位于薄膜内部带圆角的十字形结构组成，浮雕结构与薄膜边缘相接处布置有压敏电阻条，压敏电阻条的有效长度沿着压阻系数最大的晶向，且每个压敏电阻条内部间隙布置隔离槽阵列结构，使应力集中在制备压敏电阻条的位置上，提高了传感器的灵敏度。金属引线将四个压敏电阻条两两连接形成两个电阻，且将压敏电阻条与布置在基底上的四个焊盘连接，并与外置相同阻值的两个电阻连接组成惠斯通全桥实现电信号的输入输出。背腔是C型腔结构，制作工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 隔离 阵列 结构 压力传感器 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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