[发明专利]一种半导体废酸的处理方法在审
| 申请号： | 202010479397.2 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111573951A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 郎超 | 申请（专利权）人： | 盛隆资源再生（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | C02F9/10 | 分类号： | C02F9/10;C01B7/19;C01B21/46;C02F103/34;C02F101/14 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体废酸的处理方法，所述处理方法包括如下步骤：(1)半导体废酸中添加钠盐使半导体废酸中产生沉淀，沉淀完全后进行固液分离，得到氟硅酸钠沉淀与滤液；(2)提纯步骤(1)所得滤液，得到混酸溶液与固渣；(3)对步骤(2)所得混酸溶液进行提浓处理，得到净化酸液。半导体废酸中的氟硅酸以及杂质影响半导体废酸的回用，本发明首先利用钠盐去除半导体废酸中的氟硅酸，然后利用简单的提纯操作即可实现半导体废酸的净化处理，使所得净化酸液能够用于半导体蚀刻，减少了半导体蚀刻过程中酸的用量，提高了企业的经济效益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 处理 方法 | ||
【主权项】：
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