[发明专利]一种测量氧分压的集成氧传感器芯片及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010482434.5 申请日: 2020-06-01
公开(公告)号: CN111693587A 公开(公告)日: 2020-09-22
发明(设计)人: 谢光远;时可;吴旭旭;于金营 申请(专利权)人: 武汉科技大学
主分类号: G01N27/407 分类号: G01N27/407
代理公司: 枣庄小度智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 37282 代理人: 郑素娟
地址: 430081 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种测量氧分压的集成氧传感器芯片及其制备方法。采用复合氧化锆粉体材料制备的浆料进行流延,形成流延基片;对所述流延基片进行相关切割和孔的成形加工,形成对应于每一层的流延基片;对各层流延基片进行对应的丝网印刷,形成对应层上的各电极和功能层;用有机填充料填充对应层流延基片所需形成且通过打孔形成的腔体部分,使得叠合没有空隙以便等静压;将各层流延基片按所述传感器芯片的结构进行叠合,形成所述传感器的芯片坯材,切割坯材形成单个芯片生坯;采用端面侧涂连通不同层片上或同一层片上分别在上下两面的电极线路,烧结制得传感器芯片。本发明有效的提高了传感器的强度,有效提高传感器的合格率和使用寿命,保证足够的孔隙提高扩散效率。
搜索关键词: 一种 测量 氧分压 集成 传感器 芯片 及其 制备 方法
【主权项】:
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