[发明专利]一种高深宽比对通型TSV结构及其制备方法和硅转接板有效
| 申请号： | 202010484257.4 | 申请日： | 2020-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN111599749B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 朱克宝;唐昭焕;吴罚 | 申请（专利权）人： | 联合微电子中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 江苏坤象律师事务所 32393 | 代理人： | 赵新民 |
| 地址： | 401332 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本申请提供一种高深宽比对通型TSV结构及其制备方法和硅转接板，该制备方法包括：提供硅基底，硅基底包括相对的第一表面和第二表面；在第一表面定义第一填充槽区域，环绕第一填充槽区域刻蚀处理形成第一刻蚀槽;在第一刻蚀槽内填充绝缘材料形成第一绝缘层；对第二表面进行减薄处理；在第二表面上与第一填充槽区域的对应区域进行刻蚀处理形成第二填充槽，在第二填充槽内生长第二绝缘层，并在第二填充槽内填充导电材料；在第一填充槽区域进行刻蚀处理形成第一填充槽，第一填充槽与第二填充槽连通形成贯通减薄后的硅基底的通孔；在第一填充槽内填充导电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高深 tsv 结构 及其 制备 方法 转接 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
