[发明专利]存储器测试结构、集成电路及其形成方法有效
| 申请号： | 202010484794.9 | 申请日： | 2020-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN112018083B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 施宏霖;才永轩 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66;H01L27/11529;H01L27/11531;H01L27/11573 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请的各个实施例针对包括浮置栅极测试器件的集成电路(IC)，以及用于形成该IC的方法。在一些实施例中，IC包括集成在衬底中的存储器区域和逻辑区域。存储器单元结构设置在存储器区域上，并且逻辑器件设置在逻辑区域上。存储器测试结构设置在存储器单元结构的外围处。存储器测试结构包括通过一对伪浮置栅极分别与衬底分隔开的一对伪控制栅极和设置在该对伪控制栅极的相对侧上的一对伪选择栅电极。存储器测试结构还包括一对导电浮置栅极测试接触通孔，导电浮置栅极测试接触通孔分别延伸穿过一对伪控制栅极并且到达伪浮置栅极。本发明的实施例还涉及存储器测试结构、集成电路及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 测试 结构 集成电路 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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