[发明专利]磁场传感器设备在审

专利信息
申请号: 202010485432.1 申请日: 2015-07-09
公开(公告)号: CN111624529A 公开(公告)日: 2020-09-04
发明(设计)人: F·拉斯博尼格;A·萨茨;C·施罗尔斯 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: G01R33/07 分类号: G01R33/07;G01R33/09
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 吕世磊
地址: 德国诺伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开公开了使用第一类型的第一磁场传感器和不同于第一类型的第二类型的第二磁场传感器的设备、方法和系统。来自第一传感器的信号可以在第一磁场范围中使用,并且来自第二传感器的信号可以在第二磁场范围中使用。
搜索关键词: 磁场 传感器 设备
【主权项】:
暂无信息
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