[发明专利]一种半导体薄膜气体传感器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010485681.0 申请日: 2020-06-01
公开(公告)号: CN111624236A 公开(公告)日: 2020-09-04
发明(设计)人: 黄辉;渠波;尚瑞晨;赵丹娜;王梦圆;李志瑞;蔡伟成 申请(专利权)人: 黄辉;渠波;尚瑞晨
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12
代理公司: 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 代理人: 朱黎光;李托弟
地址: 116024 辽宁省大连市*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及一种半导体薄膜气体传感器及其制备方法。该半导体薄膜气体传感器包括衬底、以及设置于所述衬底第一表面的半导体薄膜;所述半导体薄膜表面设置有电极;所述半导体薄膜的上方设置有用于照射所述半导体薄膜的光源;或,所述半导体薄膜底部设置有用于照射所述半导体薄膜的光源;或,所述衬底的第二表面设置有用于照射所述半导体薄膜的光源,所述衬底第一表面和所述衬底第二表面相对设置。本发明通过设置光源照射半导体薄膜,可以提高灵敏度,从而避免了高温加热,功耗更低、更为稳定,其可以检测氧气和甲烷,而现有SnO2纳米颗粒传感器对空气氛围中的氧气灵敏度很差。
搜索关键词: 一种 半导体 薄膜 气体 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
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