[发明专利]非易失多值忆阻器在审
| 申请号： | 202010485723.0 | 申请日： | 2020-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN111477741A | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 陈子龙;程传同;李刘杰;黄北举;毛旭瑞 | 申请（专利权）人： | 江苏集萃脑机融合智能技术研究所有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人： | 黄晓明 |
| 地址： | 215131 江苏省苏州市相*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种非易失多值忆阻器，包括：衬底、以及依次形成于衬底上的金属底电极、功能层和金属顶电极，其中，金属底电极临近功能层的一侧表面还设置有若干金属纳米颗粒，若干金属纳米颗粒具有至少两种不同的尺寸。本发明还揭示了一种非易失多值忆阻器的制备方法，包括：S1、提供一衬底，并在衬底上制备金属底电极；S2、在金属底电极远离衬底的一侧表面形成若干金属纳米颗粒，若干金属纳米颗粒至少包含两种不同的尺寸；S3、在金属底电极形成有金属纳米颗粒的一侧表面制备功能层；S4、在功能层远离衬底的一侧表面制备金属顶电极。本发明的优点包括：所提供的忆阻器能够实现高一致性非易失多值的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失多值忆阻器 | ||
【主权项】：
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