[发明专利]一种半导体纳米线力学传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202010486435.7 | 申请日： | 2020-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN111664975A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 黄辉;渠波;蔡伟成;李志瑞;赵丹娜 | 申请（专利权）人： | 黄辉;渠波;蔡伟成 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22;B82Y40/00;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人： | 朱黎光;李托弟 |
| 地址： | 116024 辽宁省大连市*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体纳米线力学传感器及其制备方法。该半导体纳米线力学传感器包括第一衬底、以及设置于第一衬底顶面的导电层；第一衬底上设置有贯通导电层的第一凹槽，第一凹槽使得第一凹槽两侧的导电层之间相互绝缘；第一凹槽的两侧侧壁或两侧表面之间设有第一纳米线，第一纳米线连接第一凹槽两侧之间的导电层，使得第一凹槽两侧之间的导电层导通；第一纳米线的表面附着有微纳米材料或质量块。本发明提供的半导体纳米线力学传感器，通过在桥接纳米线的表面，二次生长微纳米材料或质量块，增加纳米线对流速或加速度的灵敏度；与目前的薄膜应变片相比，本发明的半导体纳米线力学传感器中纳米线具有更小的体积、更易于集成、以及更低的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 纳米 力学 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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