[发明专利]宽禁带MOSFET管驱动电路有效
| 申请号： | 202010486521.8 | 申请日： | 2020-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN111614235B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 陈启宏;肖刚;陈凯风;张立炎;周克亮;肖朋;刘莉 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H02M1/08 | 分类号： | H02M1/08;H02M1/44;H03K17/16;H03K17/689 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人： | 刘琳 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及MOS管驱动领域，尤其涉及宽禁带MOSFET管驱动电路，包括：信号生成模块，用于利用多组重构脉冲信号，对输入PWM信号边缘进行重构，生成边缘具有台阶波形的PWM信号；信号处理模块，用于将生成的PWM信号处理为宽禁带MOSFET管的驱动信号；所述信号生成模块与信号处理模块的输入端相连。能够提高宽禁带MOSFET开关性能，有效避免栅极电压振荡、电压尖峰过冲和振铃等现象，并且抗干扰能力强。 | ||
| 搜索关键词： | 宽禁带 mosfet 驱动 电路 | ||
【主权项】：
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
