[发明专利]基于ScAlMgO4在审

专利信息
申请号: 202010487573.7 申请日: 2020-06-02
公开(公告)号: CN111607824A 公开(公告)日: 2020-09-01
发明(设计)人: 张海涛;许彬;庞博;刘良宏 申请(专利权)人: 无锡吴越半导体有限公司
主分类号: C30B29/40 分类号: C30B29/40;C30B25/18;C23C14/06;C23C14/34;C23C14/58;C23C16/34;C23C16/56
代理公司: 六安市新图匠心专利代理事务所(普通合伙) 34139 代理人: 朱小杰
地址: 214028 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供基于ScAlMgO4衬底的氮化镓单晶制备方法,包括如下步骤:(1)提供ScAlMgO4衬底;(2)在所述ScAlMgO4衬底表面进行缓冲层生长;(3)所述缓冲层进行退火处理;(4)于所述缓冲层上生长GaN晶体;(5)降温,GaN晶体自所述ScAlMgO4衬底自动剥离。本发明不需要使用复杂的MOCVD沉积GaN并预处理以制作掩模或分离层的工艺,有效降低了生产成本;相比于传统衬底如蓝宝石,具有更高的质量与更大的曲率半径,对于生长4英寸以上的GaN来说,不会造成OFFCUT不均匀的问题;最后,本发明可以实现连续生长成厚度高达5毫米以上的晶棒,进一步降低了成本。
搜索关键词: 基于 scalmgo base sub
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