[发明专利]基于HVPE的自支撑氮化镓单晶及其制备方法在审
| 申请号： | 202010487574.1 | 申请日： | 2020-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN111501102A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 刘良宏;庞博;许彬;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡吴越半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/18;C30B33/02 |
| 代理公司： | 六安市新图匠心专利代理事务所(普通合伙) 34139 | 代理人： | 朱小杰 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于HVPE的自支撑氮化镓单晶制备方法，包括以下步骤：(1)提供衬底，并对所述衬底表面进行原位清洗；(2)于所述衬底表面低温生长GaN晶核，同时HCl和NH3形成NH4Cl固体，与GaN晶核竞争覆盖所述衬底；(3)温度提升至1000℃以上进行退火处理，提升GaN晶核质量；(4)于所述GaN晶核上中高温二维生长GaN层；(5)于所述GaN层上高温持续成长GaN单晶；降温、将GaN单晶自所述衬底上剥离，形成自支撑晶体。本发明通过HVPE为自支撑维氮化镓生长提供了高质量的成核点，同时因为空隙释放了应力，降低了翘曲在生长结束降温时消除了开裂，提高了自支撑氮化镓生长的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 hvpe 支撑 氮化 镓单晶 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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