[发明专利]SiC MOSFET的结温测量方法在审
| 申请号： | 202010488605.5 | 申请日： | 2020-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN111707917A | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 陈媛;陈义强;贺致远;侯波;刘昌 | 申请（专利权）人： | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 511300 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及结温测量技术领域，公开了一种SiC MOSFET的结温测量方法。所述SiC MOSFET的结温测量方法包括使SiC MOSFET处于工作模式，并在所述SiC MOSFET处于截止状态且所述SiC MOSFET的体二极管续流导通时，测量所述SiC MOSFET的发光强度及所述SiC MOSFET的体二极管的续流电流；基于所述发光强度及所述电流得到所述SiC MOSFET的结温。本发明是基于温度敏感的光学参数对所述SiC MOSFET的结温进行检测的，通过采集所述SiC MOSFET在工作模式时的发光强度和续流电流，结合发光强度与续流电流以及温度的关系来计算获得所述SiC MOSFET的结温。因此，在本方法中的采样信号不受快速开关过程中的电磁干扰影响以及封装老化的影响，可以实现在所述SiC MOSFET快速开关的工作过程中对结温进行实时在线监测，同时提高了结温监测的精度。 | ||
| 搜索关键词： | sic mosfet 测量方法 | ||
【主权项】：
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