[发明专利]半导体衬底和半导体装置在审
| 申请号： | 202010489168.9 | 申请日： | 2020-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN112053994A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | J·埃施 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;H01L27/118 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘瑜 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体衬底，其包括：电介质绝缘层和附接到电介质绝缘层的结构化的第一金属化层；第一开关元件，其包括第一发射极端子和第一集电极端子之间的第一负载路径；第二开关元件，其包括第二发射极端子和第二集电极端子之间的第二负载路径；第一二极管元件，其包括第一阳极端子和第一阴极端子；以及第二二极管元件，其包括第二阳极端子和第二阴极端子。第一金属化层包括彼此电绝缘的至少五个独立区段。第一开关元件、第二开关元件、第一二极管元件和第二二极管元件布置在第一金属化层的第一区段上。第一阳极端子和第一发射极端子电耦合到第二区段和第三区段，并且第二阳极端子和第二发射极端子电耦合到第四区段和第五区段。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 装置 | ||
【主权项】：
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