[发明专利]一种形成垂直场效应晶体管器件的方法在审
| 申请号： | 202010489213.0 | 申请日： | 2020-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN112053955A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | A·维洛索;G·埃内曼 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 江磊;蔡文清 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明构思的一个方面，提供一种形成垂直场效应晶体管器件的方法。该方法包括：在基材上形成垂直半导体结构，该垂直半导体结构在基材上方突出并且包括下源极/漏极部分、上源极/漏极部分以及设置在所述下源极/漏极部分和所述上源极/漏极部分之间的通道部分；在通道部分上形成封闭所述通道部分的外延半导体应力体层，其中，所述应力体层与所述通道部分晶格失配；形成绝缘层和牺牲结构，其中，所述牺牲结构封闭通道部分，在所述通道部分上形成应力体层，并且，绝缘层包埋半导体结构和牺牲结构；在绝缘层中形成暴露牺牲结构表面部分的开口；通过绝缘层中的开口对牺牲结构进行蚀刻，由此形成腔室，该腔室暴露出封闭通道部分的应力体层；在对牺牲结构进行蚀刻之后，蚀刻腔室中的应力体层；在蚀刻应力体层后，在腔室中形成栅极堆叠体，该栅极堆叠体封闭垂直半导体结构的通道部分。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 垂直 场效应 晶体管 器件 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
