[发明专利]一种快恢复整流二极管的封装装置及制造方法有效
申请号: | 202010489233.8 | 申请日: | 2020-06-02 |
公开(公告)号: | CN111627837B | 公开(公告)日: | 2023-05-05 |
发明(设计)人: | 王新强;潘庆波;李娜;杨玉珍;刘文;王丕龙 | 申请(专利权)人: | 青岛佳恩半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L29/868 |
代理公司: | 武汉聚信汇智知识产权代理有限公司 42258 | 代理人: | 马尚伟 |
地址: | 266000 山东省青岛市城阳*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明提供了一种快恢复整流二极管的封装装置及制造方法,包括工作台组件、气压控制组件和密封机构,在气压控制组件中设置真空泵、连接管和进气装置组件,在工作台组件中设置密封上盖,在密封机构中设置密封座、密封气囊和第四凹槽,通过开启真空泵,将密封好的密封上盖与密封座内部的空气抽出,第四凹槽内部的空气被抽出,密封气囊内部气压大于密封气囊外部的气压逐渐膨胀,将第四凹槽的缝隙填充,同时密封第六孔位,保持密封上盖与密封座的气密性,防止外部的空气进入到装置内部,从而使封装装置具有了保持焊接过程处于真空环境,防止焊料表面生成氧化物的效果,避免了焊料冷却凝结后形成空洞造成元器件电气性能差,从而导致良品率低的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 恢复 整流二极管 封装 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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