[发明专利]一种快恢复整流二极管的封装装置及制造方法有效

专利信息
申请号: 202010489233.8 申请日: 2020-06-02
公开(公告)号: CN111627837B 公开(公告)日: 2023-05-05
发明(设计)人: 王新强;潘庆波;李娜;杨玉珍;刘文;王丕龙 申请(专利权)人: 青岛佳恩半导体有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L29/868
代理公司: 武汉聚信汇智知识产权代理有限公司 42258 代理人: 马尚伟
地址: 266000 山东省青岛市城阳*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明提供了一种快恢复整流二极管的封装装置及制造方法,包括工作台组件、气压控制组件和密封机构,在气压控制组件中设置真空泵、连接管和进气装置组件,在工作台组件中设置密封上盖,在密封机构中设置密封座、密封气囊和第四凹槽,通过开启真空泵,将密封好的密封上盖与密封座内部的空气抽出,第四凹槽内部的空气被抽出,密封气囊内部气压大于密封气囊外部的气压逐渐膨胀,将第四凹槽的缝隙填充,同时密封第六孔位,保持密封上盖与密封座的气密性,防止外部的空气进入到装置内部,从而使封装装置具有了保持焊接过程处于真空环境,防止焊料表面生成氧化物的效果,避免了焊料冷却凝结后形成空洞造成元器件电气性能差,从而导致良品率低的问题。
搜索关键词: 一种 恢复 整流二极管 封装 装置 制造 方法
【主权项】:
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