[发明专利]一种非对称带栅双向可控硅静电防护器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202010489554.8 | 申请日： | 2020-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN113764401A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 董鹏;魏伟鹏;汪洋;金湘亮;李幸 | 申请（专利权）人： | 湖南静芯微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06;H01L21/332;H01L29/74;H01L29/747 |
| 代理公司： | 深圳市沈合专利代理事务所(特殊普通合伙) 44373 | 代理人： | 沈祖锋 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市长沙经*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非对称带栅双向可控硅静电防护器件及其制作方法，包括P型衬底；P型衬底中设有N型埋层；第二N型深阱上有第一N阱，第三N型深阱上有第二N阱；第一N阱和第二N型深阱不等宽，第二N阱和第三N型深阱不等宽；第一P阱上有第一P+注入；第二P阱上有第二P+注入、第一N+注入和第一栅极；第三P阱上有第二栅极、第三栅极和第三P+注入、第二N+注入；第四P阱上有第四栅极和第四P+注入；第一栅极在第二P阱右侧，第二栅极和第三栅极分别在第三P阱左侧和右侧，第四栅极在第四P阱左侧；第一P阱、第二P阱与第四P阱中六个电极均连接在一起作为器件的阴极，第三P阱中四个电极均连接在一起作为器件的阳极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对称 双向 可控硅 静电 防护 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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