[发明专利]一种LDMOS半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010489558.6 | 申请日： | 2020-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN113764502A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 李敏;季明华 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 266555 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其中，所述半导体器件包括：具有第一导电类型的第一区域；位于所述第一区域上的具有第二导电类型的第二区域；位于第二区域内具有第二导电类型的第一漂移区；位于所述第一漂移区的一侧具有隔离结构；以及，位于所述隔离结构下方的具有第一导电类型的第三区域；分别位于第一漂移区中的漏区和位于第二区域中的源区。本方案通过在隔离结构的下方掺杂形成第三区域，由于共享电荷效应，能够在横向电场达到临界击穿电场前完全耗尽第一漂移区，从而大幅度提高半导体器件源漏之间的击穿电压，同时，由于第三区域能够从第一漂移区引出更多的电子，从而降低半导体器件源漏之间的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ldmos 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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