[发明专利]增强型GaN基MIS-HEMT器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010489640.9 | 申请日： | 2020-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN111613668B | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 孙慧卿;夏凡;夏晓宇;谭秀洋;马建铖;张淼;李渊 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/205;H01L29/423;H01L29/51;H01L21/335 |
| 代理公司： | 佛山粤进知识产权代理事务所(普通合伙) 44463 | 代理人： | 耿鹏 |
| 地址： | 510000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种增强型GaN基MIS‑HEMT器件及其制备方法，该MIS‑HEMT器件中，在薄AlGaN势垒层的基础上设置凹陷状的AlGaN势垒层提高通道迁移率和改善导通电阻，在此基础上，采用电子束蒸发法(EBE)生长掩模层结合SAG方法，与常规工艺中使用的PECVD掩模相比，采用EBE生长掩模完全消除了掩模工艺中的等离子体损伤，使得薄的AlGaN/GaN异质结保留了无损伤的晶格，同时AlGaN薄势垒与凹陷状AlGaN势垒层的Al组分不同，进一步提高了阈值电压和沟道电子迁移率。另外本发明器件中栅极介质层采用三种不同介电常数的氧化物材料堆叠而成，在增加介质层厚度保证一定的阈值电压的同时，也通过增加介电常数的方法增加栅极电容，从而使得跨导值不至于过低。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 gan mis hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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