[发明专利]高性能MIS栅增强型GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010489644.7 | 申请日： | 2020-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN111682064B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 郭志友;李渊;夏凡;谭秀洋;马建铖;夏晓宇;张淼 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/335 |
| 代理公司： | 佛山粤进知识产权代理事务所(普通合伙) 44463 | 代理人： | 耿鹏 |
| 地址： | 510000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及高性能MIS栅增强型GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法，该器件包括层位于衬底上的AlGaN层，AlGaN层由AlGaN势垒层和分布于其两侧的p掺杂漂移区域和n掺杂漂移区域组成，钝化层位于源极和漏极之间，凹槽自钝化层延伸至势垒层中，填充凹槽的p‑GaN区域，位于p‑GaN区域上的栅极和与栅极接触的场板。在势垒层的两侧形成不同梯度的n/p掺杂层，抑制源‑漏方向的电流拥挤，同时栅极下方连接p‑GaN，其上方与场板接触，控制栅极下方的电荷拥挤，使二维电子气沟道电子运输更加平滑，保证器件高电流密度和高电子迁移率的情况下，实现击穿电压的可调控提升，降低导通电阻，改善器件功率特性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 mis 增强 gan 电子 迁移率 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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