[发明专利]一种半流体侵彻的二维建模方法在审

专利信息
申请号: 202010492450.2 申请日: 2020-06-03
公开(公告)号: CN111666678A 公开(公告)日: 2020-09-15
发明(设计)人: 焦文俊;甘云丹;毛伯永;魏巍;苏健军;丁刚;翟红波;李尚青 申请(专利权)人: 西安近代化学研究所
主分类号: G06F30/20 分类号: G06F30/20;G06F30/28;G06F113/08;G06F119/14
代理公司: 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 代理人: 祁恒
地址: 710065 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提出一种半流体侵彻的二维建模方法,该方法在动态空腔膨胀理论的基础上,通过引入两个描述侵彻过程中弹体头形的无量纲参量,得到可退化为一维的Alekseevskii‑Tate模型的半流体侵彻二维理论模型。本发明提出的半流体侵彻的二维建模方法能较合理地建立半流体侵彻的二维理论模型,表达式简洁且物理意义明确,可较方便地应用于半流体侵彻二维效应研究,并为长杆动能武器设计和侵彻能力预估提供参考依据。
搜索关键词: 一种 流体 二维 建模 方法
【主权项】:
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