[发明专利]套刻对准标记、套刻误差测量方法在审
| 申请号： | 202010494717.1 | 申请日： | 2020-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN111522209A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 马卫民;韩春营;刘成成;黄守艳 | 申请（专利权）人： | 中科晶源微电子技术（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王益 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 提出一种位于已形成图案的晶片中的套刻对准标记和一种套刻误差测量方法，所述晶片具备位于其第一层中的下层图案和位于其第一层上方的第二层中的上层图案，所述套刻对准标记包括：第一图案，作为所述下层图案的一部分且包括：形成于所述第一层的一对实体特征；第二图案，作为所述上层图案的一部分且包括：形成于所述第二层的两对镂空特征，一对镂空特征的几何中心连线与另一对镂空特征的几何中心连线分别沿正交的两方向延伸，所述一对实体特征在晶片上的正投影与所述两对镂空特征中的相应一对镂空特征在晶片上的正投影至少部分地重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 标记 误差 测量方法 | ||
【主权项】：
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