[发明专利]用于在锗晶体生长过程中粘出脏料的方法有效
| 申请号： | 202010495166.0 | 申请日： | 2020-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN111809237B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 张路;于洪国;林泉;杜长岭;赵哲 | 申请（专利权）人： | 有研光电新材料有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B29/08 | 分类号： | C30B29/08;C30B15/00 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 065001 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制备技术领域，具体涉及一种用于在锗晶体生长过程中粘出脏料的方法，包括以下步骤：将锗料煅烧完成后；将籽晶插入锗熔体，待熔接稳定后设置第一晶体提拉速度，进行引晶；点动式开启、停止第二晶体提拉速度，控制所述脏料的边缘脱离锗熔体液面,脏料的中心区域与锗熔体相连，进行缩颈生长，再将第二晶体提拉速度调整至第一晶体提拉速度进行再放肩，继续生长晶体；待晶体直径长到目标直径时，再将第一晶体提拉速度调整至第二晶体提拉速度，如此反复操作，直至将锗熔体表面的浮渣粘完，该方法降低了粘出脏料所用时间，粘出脏料重量小，大大降低脏料因加工提纯带来的损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶体生长 过程 中粘出脏料 方法 | ||
【主权项】：
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