[发明专利]一种超高真空环境多功能样品台及样品原位图案化的方法有效
| 申请号： | 202010496144.6 | 申请日： | 2020-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN111710628B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 潘毅;吴迪;袁玺惠;闵泰 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 姚咏华 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超高真空环境多功能样品台及样品原位图案化的方法，包括加热台、加热单元和存样台；加热台设于加热单元上方，存样台位于加热单元后端通过直流电源连接样品托板、电刷实现样品托板直流加热；通过直流电源连接加热丝实现样品托板的热辐射加热和电子束轰击加热；将材料沉积于掩膜板托板下的样品托板上。本发明结构简单、易于维护，具备多种样品加热模式，同时还具有原位的样品图案化功能，且两种功能可可独立也可同时工作。大大减少了器件加工的工序，也减小了器件加工过程中对样品本身性能的破坏。能满足实验室需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超高 真空 环境 多功能 样品 原位 图案 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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