[发明专利]一种基于交叉相位的类厄米特高斯光束的制备方法在审
| 申请号： | 202010496262.7 | 申请日： | 2020-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN111665639A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 任元;王琛;刘通;李修乾;李晋川;丁友;陈琳琳;陈晓岑 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军战略支援部队航天工程大学 |
| 主分类号： | G02B27/09 | 分类号： | G02B27/09 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 张春慧 |
| 地址： | 101416*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于交叉相位的类厄米特高斯光束的制备方法。交叉相位是一种特殊的光场相位结构，类厄米特高斯光束是一种特殊的光场，其相位分布与拉盖尔高斯光束相同，强度分布与厄米特高斯光束相同。利用多参量联合调控技术制备携带拉盖尔高斯光束与交叉相位信息的全息图样，并加载到空间光调制器，一束线偏振高斯光束照射到空间光调制器进行复振幅调制，出射光为携带交叉相位的拉盖尔高斯光，传播一段距离后即可在近场条件下生成类厄米特高斯光。本方法光路简洁，属于激光操控领域，可应用于类厄米特高斯光束的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 交叉 相位 类厄米特高斯 光束 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军战略支援部队航天工程大学，未经中国人民解放军战略支援部队航天工程大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010496262.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
