[发明专利]一种双层绕组的Halbach永磁记忆电机在审
| 申请号： | 202010497596.6 | 申请日： | 2020-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN111555484A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 张蔚;张双双;梁惺彦;王瑞;翟良冠 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | H02K1/16 | 分类号： | H02K1/16;H02K3/12;H02K3/28;H02K1/27;H02K21/02 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 吴旭 |
| 地址： | 226019 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种双层绕组的Halbach永磁记忆电机，定子槽被槽楔沿径向分割为扇形结构的上层槽和圆弧酒杯形的下层槽，且分别布设上下层为同相的电枢绕组，Halbach永磁体单元是由不同矫顽力永磁体组成，转子铁芯的转子槽中布设励磁绕组，并且对其通入脉冲电流来改变低矫顽力永磁体的磁化状态，从而调节气隙磁场，弥补了永磁电机磁场不易调节的不足，拓宽磁场的调节范围。电机正常运行时，相邻定子槽的上下层绕组采用错开的方式连接；当绕组发生故障，若故障绕组与左右相邻的绕组均为同相绕组，则采用故障绕组同槽不同层绕组替代故障绕组；若故障绕组与左右相邻的绕组存在不同相，则不同相绕组和故障绕组均被同槽不同层绕组替代。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双层 绕组 halbach 永磁 记忆 电机 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通大学，未经南通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010497596.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
