[发明专利]一种亚10纳米级仿生结构二硫化钼-碳多层薄膜制备方法有效
| 申请号： | 202010497699.2 | 申请日： | 2020-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN111485212B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 魏晓莉;高凯雄 | 申请（专利权）人： | 兰州文理学院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/48 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人： | 曹向东 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种亚10纳米级仿生结构二硫化钼‑碳多层薄膜制备方法，该方法是指：对处理后的基底部件采用高功率脉冲非平衡磁控溅射方法制备二硫化钼层，再利用高压等离子体浸没离子注入技术，将纯度大于99.99%的CH |
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| 搜索关键词： | 一种 10 纳米 仿生 结构 二硫化钼 多层 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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