[发明专利]具有增大的存储密度的三维闪存器件

摘要

3D闪存器件包括：衬底，具有基本平坦的表面。半导体材料的多个有源柱设置在所述衬底上方。所述多个有源柱中的每一个沿与所述衬底的所述平坦的表面正交的第一方向延伸。所述多个有源柱以二维阵列布置。所述多个有源柱中的每一个包括沿所述第一方向延伸的多个局部源极线和多个局部位线。多个沟道区设置在所述多个局部位线和所述多个局部源极线之间。字线堆叠体环绕所述多个有源柱。电荷存储元设置在所述多个有源柱中的每一个和所述字线堆叠体之间。