[发明专利]一种3C-SiC外延结构在审
| 申请号： | 202010499567.3 | 申请日： | 2020-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN111599854A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 左万胜;钮应喜;刘洋;张晓洪;刘锦锦;袁松;史田超;史文华;钟敏 | 申请（专利权）人： | 芜湖启迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 尹婷婷 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋江*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种3C‑SiC外延结构，所述3C‑SiC外延结构由下至上依次包括衬底、GaN缓冲层、3C‑SiC外延层；通过在衬底和3C‑SiC外延层之间插入了禁带宽度和临界击穿场强更高的GaN缓冲层，提升了3C‑SiC器件的耐压性能；且在Si衬底上生长3C‑SiC时，在升温过程中Si原子的扩散会形成界面空洞，通过在Si衬底上先生长一层AlN缓冲层，其一旦覆盖衬底高温下几乎不会发生原子迁移重结晶，从而有效抑制Si的挥发形成的界面空洞缺陷，进而得到高质量的3C‑SiC外延结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 外延 结构 | ||
【主权项】：
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