[发明专利]一种四结级联太阳电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种四结级联太阳电池及其制备方法。该太阳电池包括自上而下依次设置的背面电极、InGaAs/InGaAsP/InAlAs三结太阳电池、MoS2/InP范德瓦尔斯异质结以及正面电极；其中，MoS2/InP范德瓦尔斯异质结包括InP导电衬底及覆设于所述导电衬底一端面的二硫化钼层；四结级联太阳电池为基于MoS2/InP范德瓦尔斯异质结倒置生长的四结级联太阳电池。本发明一方面结区基本位于器件表面，因此通过前表面电池的设计可以有效提高该四结太阳电池的转换效率；另一方面MoS2/InP范德瓦尔斯异质结使晶片主要靠范德华力结合，键合所需要的压力低，避免直接键合工艺引起的电池性能退化。