[发明专利]一种具有U-MOSFET和晶闸管的可编程过电压保护器件

摘要

本发明涉及一种具有U‑MOSFET和晶闸管的可编程过电压保护器件，属于功率半导体技术领域。该可编程过电压保护器件利用两个U‑MOSFET分别为两个NPNP晶闸管提供独立控制，U‑MOSFET的栅端与负电源电压连接；或者，利用两个U‑MOSFET分别为两个PNPN晶闸管提供独立控制，U‑MOSFET的栅端与正电源电压连接，当电话线上负电压低于电源电压一个阈值电压或正电压高于电源电压一个阈值电压时，器件开启并将传输线上浪涌产生的过电压传导到地，从而实现对用户线接口电路的单向可编程保护。U‑MOSFET的沟槽栅结构减小了器件导通电阻，且为单极型器件，使得本发明功耗更低，温度稳定性更高，且高的开关速度使其对浪涌响应更快，另外U‑MOSFET与晶闸管工艺兼容，易于集成。