[发明专利]一种宽电压SRAM时序跟踪电路在审
申请号: | 202010500489.4 | 申请日: | 2020-06-04 |
公开(公告)号: | CN111445936A | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
发明(设计)人: | 王镇;顾东志;杨亮亮 | 申请(专利权)人: | 南京博芯电子技术有限公司 |
主分类号: | G11C11/412 | 分类号: | G11C11/412;G11C11/417 |
代理公司: | 南京智造力知识产权代理有限公司 32382 | 代理人: | 张明明 |
地址: | 210000 江苏省南京市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提出一种宽电压SRAM时序跟踪电路,属于专用集成电路设计技术领域。采用放电切换模块和可配置型SRAM时序逻辑模块实现具有时序跟踪能力的放电切换操作,通过轮流使能复制字线来控制复制位线轮流放电,从而产生周期性的时钟脉冲信号,信号的周期是复制位线放电的延时和。本发明提出的宽电压SRAM时序跟踪电路,有效降低灵敏放大器SAE使能延时变化,提高电路抗工艺偏差能力;放电切换模块动态调节复制单元字线电压,进一步提高电路抗工艺偏差能力;放电切换模块能够检测恒定放电阈值电压,提高电路的电压跟踪性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 电压 sram 时序 跟踪 电路 | ||
【主权项】:
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