[发明专利]氧化膜的成膜方法、半导体装置的制造方法及氧化膜的成膜装置在审
| 申请号： | 202010501607.3 | 申请日： | 2020-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN112048765A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 永冈达司;西中浩之;吉本昌广 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社;国立大学法人京都工芸纤维大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B25/02;C30B33/02;C23C16/40;C23C16/448;C23C16/56;H01L21/368;H01L21/67 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何冲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氧化膜的成膜方法、半导体装置的制造方法及氧化膜的成膜装置。能够将高结晶度的氧化膜在短时间内成膜。该氧化膜的成膜方法具有：在将基板加热到第一温度的同时，将溶解有所述氧化膜的材料的溶液的喷雾供给到所述基板的表面，从而使所述氧化膜在所述基板的所述表面外延生长的工序；以及在使所述氧化膜外延生长之后，在将所述氧化膜加热到比所述第一温度高的第二温度的同时，使所述氧化膜暴露于含有氧原子的流体中的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 方法 半导体 装置 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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