[发明专利]一种用于制备GAGG:Ce,Pr闪烁粉体和闪烁晶体的方法在审
| 申请号： | 202010503447.6 | 申请日： | 2020-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN111621295A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 王宇;顾鹏;梁振兴;李敏 | 申请（专利权）人： | 眉山博雅新材料有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/80 | 分类号： | C09K11/80;C30B29/22;C30B35/00 |
| 代理公司： | 成都七星天知识产权代理有限公司 51253 | 代理人： | 袁春晓 |
| 地址： | 620010 四川省眉*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种用于制备GAGG:Ce,Pr闪烁粉体的方法。该方法包括：将预设比例的反应物料溶解于酸溶液中，得到盐溶液；将盐溶液反向滴定至沉淀剂中，得到包括前驱体的溶液，其中，沉淀剂用于沉淀盐溶液以得到前驱体；调节包括前驱体的溶液的pH值，以使包括前驱体的溶液的pH值与预设pH值的差值小于预设阈值；对包括前驱体的溶液进行过滤处理，得到前驱体；以及对前驱体进行退火处理，得到GAGG:Ce,Pr闪烁粉体。本申请实施例还进一步公开了基于GAGG:Ce,Pr闪烁粉体制备GAGG:Ce,Pr闪烁晶体的方法。根据本申请实施例可以制得纯度高、粒径小、分散均匀且无明显团聚现象的GAGG:Ce,Pr闪烁粉体，进一步地，可以制得闪烁性能均匀且具有较高光产额和较短发光衰减时间的GAGG:Ce,Pr闪烁晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制备 gagg ce pr 闪烁 晶体 方法 | ||
【主权项】：
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