[发明专利]一种提升发光效率的LED多量子阱层生长方法有效
| 申请号： | 202010504386.5 | 申请日： | 2020-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN111952418B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 徐平;龚彬彬;周孝维;胡耀武 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 张勇;唐玲 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本申请公开了一种提升发光效率的LED多量子阱层生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长非掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其中生长多量子阱层依次包括生长Si |
||
| 搜索关键词： | 一种 提升 发光 效率 led 多量 子阱层 生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘能华磊光电股份有限公司，未经湘能华磊光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010504386.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：可挠式装置
- 下一篇：一种基于区块链的物联网访问控制系统及方法
