[发明专利]基于超导桥结的约瑟夫森结阵列制备方法及结构在审

专利信息
申请号: 202010505140.X 申请日: 2020-06-05
公开(公告)号: CN111864049A 公开(公告)日: 2020-10-30
发明(设计)人: 钟青;李劲劲;钟源;王雪深;徐骁龙;曹文会 申请(专利权)人: 中国计量科学研究院
主分类号: H01L39/24 分类号: H01L39/24;B82Y40/00;H01L39/02;H01L39/22
代理公司: 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 代理人: 樊春燕
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本申请涉及一种基于超导桥结的约瑟夫森结阵列制备方法及结构。通过多个纳米桥使得多个第一超导引线薄膜子结构形成了单一层超导薄膜的超导桥结阵列,获得约瑟夫森结阵列结构。由于约瑟夫森结阵列结构通过多个第一超导引线薄膜子结构形成,可以对单一层超导薄膜的尺寸进行调控,从而缩小了横向尺寸最小结的周期尺寸。通过单一层超导薄膜的超导桥结阵列,可以依次叠加更多层,尽量多的增加纵向的层数。相比于传统的三明治结构约瑟夫森结阵列芯片,本申请的约瑟夫森结阵列,在相同的芯片尺寸上,可以高度集成更多的约瑟夫森结,提高了一个量级的结数量,以满足市场对输出电压的需求。并且,在约瑟夫森结数量相同的情况下,芯片的尺寸可以极大的缩小。
搜索关键词: 基于 超导 约瑟夫 阵列 制备 方法 结构
【主权项】:
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