[发明专利]多层二碲化钼场效应晶体管的电子-空穴可逆掺杂方法

摘要

本发明公开了多层二碲化钼场效应晶体管的电子‑空穴可逆掺杂方法，先用机械剥离的方法制备MoTe2场效应晶体管器件，然后通过在空气中以适当的温度和时间加热MoTe2场效应晶体管器件得到P型掺杂的MoTe2场效应晶体管器件，再通过在扫描电镜舱室内用高压电子束对MoTe2场效应晶体管的表面进行辐照得到N型掺杂的MoTe2场效应晶体管器件。如此P型掺杂和N型掺杂的过程可以反复且可控，实现了多层二碲化钼场效应晶体管的电子‑空穴可逆掺杂方法，从而可以大范围地控制二碲化钼器件的电子传输极性，本发明方法简单，重复性好，所测得的二碲化钼性能好，对材料的损伤小，所需条件简单，对环境友好。