[发明专利]一种通过干法刻蚀改善山水MURA的方法和TFT基板在审

专利信息
申请号: 202010506942.2 申请日: 2020-06-05
公开(公告)号: CN111681954A 公开(公告)日: 2020-09-18
发明(设计)人: 刘宏发;刘慧宇;许文重;谭晓彬;李林 申请(专利权)人: 信利半导体有限公司
主分类号: H01L21/28 分类号: H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/786
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 李健威
地址: 516600 *** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种通过干法刻蚀改善山水MURA的方法,包括如下步骤:步骤1:在衬底基板上依次制作栅图案层和栅绝缘层;步骤2:在所述栅绝缘层上覆盖一层硅材料,并对所述硅材料进行刻蚀,以形成硅岛图案层:步骤3:对所述栅绝缘层的第二区域进行刻蚀减薄,以使所述栅绝缘层的第二区域的厚度小于所述栅绝缘层的第一区域的厚度,所述栅绝缘层包括第一区域和第二区域,第一区域被所述硅岛图案层所覆盖,第二区域未被所述硅岛图案层所覆盖;步骤4:在所述硅岛图案层上依次制作源漏图案层、钝化层和像素图案层。该方法可改善显示器的山水MURA情况。本发明还公开了一种TFT基板。
搜索关键词: 一种 通过 刻蚀 改善 山水 mura 方法 tft 基板
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