[发明专利]一种通过干法刻蚀改善山水MURA的方法和TFT基板在审
申请号: | 202010506942.2 | 申请日: | 2020-06-05 |
公开(公告)号: | CN111681954A | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 刘宏发;刘慧宇;许文重;谭晓彬;李林 | 申请(专利权)人: | 信利半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/786 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 李健威 |
地址: | 516600 *** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种通过干法刻蚀改善山水MURA的方法,包括如下步骤:步骤1:在衬底基板上依次制作栅图案层和栅绝缘层;步骤2:在所述栅绝缘层上覆盖一层硅材料,并对所述硅材料进行刻蚀,以形成硅岛图案层:步骤3:对所述栅绝缘层的第二区域进行刻蚀减薄,以使所述栅绝缘层的第二区域的厚度小于所述栅绝缘层的第一区域的厚度,所述栅绝缘层包括第一区域和第二区域,第一区域被所述硅岛图案层所覆盖,第二区域未被所述硅岛图案层所覆盖;步骤4:在所述硅岛图案层上依次制作源漏图案层、钝化层和像素图案层。该方法可改善显示器的山水MURA情况。本发明还公开了一种TFT基板。 | ||
搜索关键词: | 一种 通过 刻蚀 改善 山水 mura 方法 tft 基板 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造