[发明专利]制备雪花状单晶高纯碳酸锂的沉锂结晶方法有效
申请号: | 202010508387.7 | 申请日: | 2020-06-06 |
公开(公告)号: | CN111453748B | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 南进喜;王家前;吴进方;刘剑叶 | 申请(专利权)人: | 江西南氏锂电新材料有限公司 |
主分类号: | C01D15/08 | 分类号: | C01D15/08 |
代理公司: | 南昌市赣昌知识产权代理事务所(普通合伙) 36140 | 代理人: | 刘鸿运 |
地址: | 336100*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明公开了一种制备雪花状单晶高纯碳酸锂的沉锂结晶方法,以提锂过程中产生的锂溶液为原料包括,1)制备标准碳酸钠溶液,2)制备碳酸锂吸附母核,3)制碳酸锂形晶溶液,4)制雪花状单晶高纯碳酸锂,制备出碳酸锂纯度达99.8%以上,且制备出的碳酸锂晶体呈雪花状单晶大颗粒状结构;实现了一步法制备高纯碳酸锂,工序短,操作简单,可连续生产,成本低。且生产工艺简单。 | ||
搜索关键词: | 制备 雪花 状单晶 高纯 碳酸锂 结晶 方法 | ||
【主权项】:
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