[发明专利]兼容SiC MOSFET和GaN HEMT的仿真模型电路及其创建方法有效
| 申请号： | 202010508764.7 | 申请日： | 2020-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN111832242B | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 肖龙;陈冬冬;颜文煅;李岩;连和谬 | 申请（专利权）人： | 闽南理工学院 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367 |
| 代理公司： | 泉州劲翔专利事务所(普通合伙) 35216 | 代理人： | 林枫 |
| 地址： | 362000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种兼容SiC MOSFET和GaN HEMT的模型及其仿真模型的创建方法，其中，上述模型包括第一模型和第二模型；第一模型包括：从漏极到源极之间串联受控电流源；受控电流源与第一电容并联；源极和栅极之间依次串联第一电阻和第二电容；第一电阻和漏极之间串联第三电容；第二模型包括：第一引脚，第一引脚与接地端之间串联有一损耗功率元件；第二引脚，第二引脚与损耗功率元件之间串联有热阻网络。本发明的有益效果在于：兼容SiC MOSFET和GaN HEMT，展现SiC MOSFET和/或GaN HEMT静态和动态的电热特性。 | ||
| 搜索关键词： | 兼容 sic mosfet gan hemt 仿真 模型 电路 及其 创建 方法 | ||
【主权项】：
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