[发明专利]制造半导体装置的方法

摘要

制造半导体装置的方法。公开了一种具有改进的电特性的半导体装置及其制造方法，该方法可包括以下步骤：形成多个介电层和多个牺牲层交替地层叠在基板上的交替层叠物；在交替层叠物中形成第一贯通部分；通过第一贯通部分蚀刻牺牲层的第一部分，以在多个介电层之间形成横向凹陷；形成隔离在横向凹陷中的多个电荷捕获层；通过蚀刻保留有牺牲层的第二部分的交替层叠物来形成第二贯通部分；通过第二贯通部分去除牺牲层的第二部分，以形成暴露电荷捕获层的非平坦表面的栅极凹陷；将电荷捕获层的非平坦表面平坦化；以及形成填充栅极凹陷的栅电极。