[发明专利]三维半导体存储器装置在审
申请号: | 202010511335.5 | 申请日: | 2020-06-08 |
公开(公告)号: | CN112447748A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 金燦镐;朴珠用;边大锡 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11529 | 分类号: | H01L27/11529;H01L27/11556;H01L27/11573;H01L27/11582 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘美华;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 可以提供一种三维半导体存储器装置,所述三维半导体存储器装置包括第一芯片和堆叠在第一芯片上的第二芯片。第一芯片可以包括:第一基底,包括第一外围电路区域和第二外围电路区域;第一接触插塞和第二接触插塞;以及第一无源器件,位于第二接触插塞上并且电连接到第二接触插塞。第二芯片可以包括第二基底,第二基底包括分别与第一芯片的第二外围电路区域和第一外围电路区域竖直地叠置的单元阵列区域和接触区域。第二芯片还可以包括栅电极以及设置在第二基底的接触区域上和栅电极的端部上的单元接触插塞。第一无源器件可以竖直地位于栅电极与第二接触插塞之间并且可以包括第一接触线。 | ||
搜索关键词: | 三维 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的