[发明专利]存算一体电路有效

专利信息
申请号: 202010512166.7 申请日: 2020-06-08
公开(公告)号: CN111652363B 公开(公告)日: 2023-09-19
发明(设计)人: 张锋;宋仁俊 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00;G06N3/063
代理公司: 北京华沛德权律师事务所 11302 代理人: 房德权
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种存算一体电路,包括阻变存储器阵列以及外围电路;所述阻变存储器阵列包括多个呈阵列排布的存储单元,每个存储单元用于存储L个比特位的数据,L为不小于2的整数;所述外围电路用于在存储模式下将一个以上卷积核写入所述阻变存储器阵列,在计算模式下将像素矩阵中对应的元素输入所述阻变存储器阵列,并读取每列存储单元的电流,其中,每列存储单元对应存储一个卷积核,所述卷积核的一个元素对应存储在一个存储单元中,所述像素矩阵的一个元素对应输入一行存储单元连接的字线。本发明提供的存算一体电路,实现了神经网络中的卷积操作,并且能够提高神经网络的识别精度。
搜索关键词: 一体 电路
【主权项】:
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