[发明专利]一种采用电压驱动的可控硅有效
申请号: | 202010512334.2 | 申请日: | 2020-06-08 |
公开(公告)号: | CN111627996B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 唐红祥 | 申请(专利权)人: | 无锡光磊电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/74 | 分类号: | H01L29/74;H01L29/06 |
代理公司: | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人: | 曹慧萍 |
地址: | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及功率半导体器件领域,公开了一种采用电压驱动的可控硅,包括N型硅片,N型硅片底部设有P型扩散层,P型扩散层底部电连接阳极电极,N型硅片顶部设有第一P阱,第一P阱内设有第一N扩散区,N型硅片顶部设有第二P阱,第二P阱内设有第二N扩散区,N型硅片顶部连接绝缘层,绝缘层上设有输出电极,输出电极穿过绝缘层分别与第一P阱和第一N扩散区电连接,绝缘层内还设有控制电极,绝缘层在第二P阱的对应处分别设有阴极电极和门极电极,阴极电极穿过绝缘层与第二N扩散区电连接,门极电极穿过绝缘层与第二P阱电连接,本发明将可控硅的导通控制从电流驱动变为电压驱动,降低了对驱动IC的要求,减少了可控硅的应用成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 采用 电压 驱动 可控硅 | ||
【主权项】:
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