[发明专利]气体遮挡环、等离子体处理装置及调控聚合物分布的方法在审
| 申请号： | 202010512729.2 | 申请日： | 2020-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN113838730A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 倪图强;李亚男;涂乐义;徐伟娜 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 徐雯琼;张妍 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种气体遮挡环、等离子体处理装置及调控聚合物分布的方法，所述设备包括：真空反应腔，真空反应腔内设置用于承载基片的基座。气体注入装置，用于向真空反应腔内输送反应气体。等离子体约束环，环绕设置在基座外围，等离子体约束环上设有排气通道，包括靠近基座的内圈排气区域和靠近真空反应腔侧壁的外圈排气区域，用于将真空反应腔内的反应气体排出。气体遮挡环，位于等离子体约束环的内圈排气区域上方，用于引导反应气体向等离子体约束环的外圈排气区域流动。本发明可以用于平衡腔体中心和边缘产生的聚合物的差异，从而降低刻蚀样品的整体形貌和绝对直径差异。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 遮挡 等离子体 处理 装置 调控 聚合物 分布 方法 | ||
【主权项】：
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