[发明专利]一种具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202010514600.5 | 申请日： | 2020-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN111834454A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 刘志宏;王泽宇;张进成;朱肖肖;宋昆璐;周弘;赵胜雷;张雅超;段小玲;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/20 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管及其制备方法，其中，具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管包括：衬底、复合缓冲区、沟道层、复合势垒区、源极、漏极和栅极，其中，栅极包括栅脚和栅头，栅头的宽度大于栅脚的宽度；源极靠近栅极的侧面与栅头的第一侧面位于同一垂直平面内；漏极靠近栅极的侧面与栅头的第二侧面位于同一垂直平面内。本发明的具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管，通过源极、漏极与栅极的自对准，实现了与栅头宽度尺寸类似的源漏间距，最大程度的减小了源漏间距，降低了晶体管的源极接入电阻和漏极接入电阻，从而减小了晶体管的功率损耗和提高了晶体管的频率特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 对准 漏电 氮化 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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