[发明专利]一种高强高热导氮化硅基片的制备方法在审

专利信息
申请号: 202010515841.1 申请日: 2020-06-08
公开(公告)号: CN111635235A 公开(公告)日: 2020-09-08
发明(设计)人: 瞿友福;吴明亮 申请(专利权)人: 浙江锐克特种陶瓷有限公司
主分类号: C04B35/584 分类号: C04B35/584;C04B35/622;C04B35/645;H01L23/373;H01L29/739
代理公司: 北京棘龙知识产权代理有限公司 11740 代理人: 戴丽伟
地址: 310000 浙*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了高强高热导氮化硅基片的制备方法,将氮化硅(Si3N4)、氮化硅镁(MgSiN2)和助烧剂加入搅拌磨,在搅拌磨中加入溶剂经充分搅拌研磨得到混合浆料,混合浆料经烘干、过筛得到氮化硅基片配方粉;将氮化硅基片配方粉经干压成型和热压烧结工艺,干压成型工艺是将氮化硅配方粉加入成型模具,按照干压成型压力曲线加压至5‑20MPa,并保压1‑3min;热压烧结工艺包括烧结温度曲线和压力曲线,温度按照烧结温度曲线升温至1700‑1850℃,压力按照压力曲线升压至20‑45MPa,并保温保压烧结1‑3小时得到氮化硅材料坯体;将氮化硅材料坯体经平磨、研磨加工得到氮化硅基片。该制备方法得到的氮化硅基片具有相对较高的抗弯强度和热导率,可广泛应用于动态IGBT领域。
搜索关键词: 一种 高强 高热 氮化 硅基片 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江锐克特种陶瓷有限公司,未经浙江锐克特种陶瓷有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010515841.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code