[发明专利]一种高强高热导氮化硅基片的制备方法在审
申请号: | 202010515841.1 | 申请日: | 2020-06-08 |
公开(公告)号: | CN111635235A | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
发明(设计)人: | 瞿友福;吴明亮 | 申请(专利权)人: | 浙江锐克特种陶瓷有限公司 |
主分类号: | C04B35/584 | 分类号: | C04B35/584;C04B35/622;C04B35/645;H01L23/373;H01L29/739 |
代理公司: | 北京棘龙知识产权代理有限公司 11740 | 代理人: | 戴丽伟 |
地址: | 310000 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: |
本发明公开了高强高热导氮化硅基片的制备方法,将氮化硅(Si |
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搜索关键词: | 一种 高强 高热 氮化 硅基片 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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